Cs補正STEMによるTiSrO3の原子スケールEDXマッピング

結晶の原子配列をEDX分析(エネルギー分散型X線分析)で可視化

  • 結晶を構成する原子をCs補正STEM-EDX-EELSにより、原子列を一つ一つ分離して、分析できます。
  • 機能性セラミック、LED・半導体レーザー・次世代メモリーなど超格子・量子井戸(MQW)など原子配列制御する材料の原子分布の均一性、不均一性の評価ができます。

分析事例

Cs補正STEM-EDX-EELSは、1nm以下の界面の元素分布・化学状態の評価が可能なため、SiO2酸化皮膜が形成された4H-SiCにおいて、EDX線分析より、SiC基板とSiO2との界面幅が1nm以下と急峻であること、EELSスペクトルから、界面でSiと結合していないCもわずかに存在することがわかります。

結晶構造 結晶構造
STEM-HAADF STEM-HAADF
STEM-ABF STEM-ABF
STEM像による原子配列の観察
Ti-K
Sr-L
Ti+Sr (overley)
EDXマッピングによる原子配列の分析

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