Cs補正STEMを用いたGaN系化合物半導体の積層構造の観察(クライオ機能つきFIBの効果)

Cs補正STEM(収差補正型走査透過電子顕微鏡)の分析事例4

ダメージの入りやすい材料でも、冷却しながらFIB加工(集束イオンビーム加工)するとダメージの少ない観察が可能です。

クライオシステムを用い、冷却してFIB加工することにより、常温加工では全面に発生していたダメージが見られなくなり、GaN系化合物半導体の積層構造がシャープに観察できることがわかります。

さらに、クライオFIBとCs補正STEMのクライオホルダーを使用した電池材料の観察にも対応しております。

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