Cs補正STEMを用いたLEDの電子エネルギー損失分光法(EELS)による原子レベルマッピング分析

Cs補正STEM(収差補正型走査透過電子顕微鏡)の分析事例2

AlGaAs/GaAs積層膜断面のSTEM暗視野像の緑枠内におけるEELSマッピングの結果を示します。
EELSマッピングすることにより、構造モデルのそれぞれの原子位置に対応した、Ga、As、Alの原子位置を可視化することができます。このように、nm以下の高分解能で元素分布を確認できます。

AlGaAs/GaAs積層膜断面のSTEM暗視野像

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