Cs補正STEMを用いたパワー半導体用
3C-SiCエピ基板の積層欠陥観察

Cs補正STEM（収差補正型走査透過電子顕微鏡）の分析事例3

(111)面のTEM像(左図）およびSTEM明視野法(ABF像)による原子カラム像（中図）。拡大写真（右図）中の黒い点がSi、灰色の点がCに対応しています。TEM像で積層欠陥が線状のコントラストとしてのみ見られるのに対し、ABF像では原子レベルでの観察が可能で、積層欠陥におけるSi-C対が正常な結晶おものに対して回転していることもわかります。