Cs補正STEMを用いたパワー半導体用3C-SiCエピ基板の積層欠陥観察

Cs補正STEM(収差補正型走査透過電子顕微鏡)の分析事例3

(111)面のTEM像(左図)およびSTEM明視野法(ABF像)による原子カラム像(中図)。拡大写真(右図)中の黒い点がSi、灰色の点がCに対応しています。TEM像で積層欠陥が線状のコントラストとしてのみ見られるのに対し、ABF像では原子レベルでの観察が可能で、積層欠陥におけるSi-C対が正常な結晶おものに対して回転していることもわかります。

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