物理分析
Cs補正STEM（収差補正型走査透過電子顕微鏡）の分析事例
分析事例1：GaAs/AlGaAs超格子の原子配列観察
Cs補正STEMにより原子・分子を制御する最先端の機能性材料の観察が可能です。 Cs補正STEMと従来のFE-TEMでSi(110)を観察した例です。Cs補正STEMを用いることで、Si(110)における0.136nmの最近接構造（dumbbell）が明確に識別できました。
分析事例2：GaAs/AlGaAs超格子の分析
Cs補正STEMとEDXやEELS分析とを組み合わせることにより、10nm以下の複雑な構造を有する材料でも、デバイス構造が設計どおりか、どこに不具合が⽣じているのかを解析できます。ここではGaAs/AlGaAs超格⼦において、30nmのGaAs層とAlGaAs層とを明瞭に分離できています。
作業の流れ
関連ページ・関連リンク
このページに関する
お問い合わせはこちらから
- JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部
- 0120-643-777
