Cs補正STEM(収差補正型走査透過電子顕微鏡)の分析事例

分析例1:Si(110)面の原子配列観察

Cs補正STEMにより原子・分子を制御する最先端の機能性材料の観察が可能です。 Cs補正STEMと従来のFE-TEMでSi(110)を観察した例です。Cs補正STEMを用いることで、Si(110)における0.136nmの最近接構造(dumbbell)が明確に識別できました。

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分析事例2:GaAs/AlGaAs超格子の原子配列観察

Cs補正STEMにより初めて、原子・分子を制御する最先端の機能性材料の原子レベルの観察が可能です。従来TEMでは見分けられないGa-As対・Al(Ga)-As対が観察できています。GaAs層のGa-As対の強度は対称ですが、AlGaAs層のAl(Ga)-As対は非対称であり、Ga, Al, Asのサイトを見分けています。

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分析事例3:GaAs/AlGaAs超格子の分析

Cs補正STEMとEDXやEELS分析とを組み合わせることにより、 10nm以下の複雑な構造を有する材料でも、原子レベルで設計どおりか、どこに不具合が生じているのかを解析できます。 GaAs/AlGaAs超格子において、30nmのGaAs層とAlGaAs層とを明瞭に分離できています。

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分析事例4:LSIコンタクト部のマッピング

LSIのコンタクト部に形成させた様々な構造(10nm程度のNiシリサイド,SiNやSiO2など)が確認できました。

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