Cs補正STEMによるEDX原子分解能マッピング次世代メモリーの分析事例

最先端の物理解析手法を駆使し、お客様のニーズにお応えいたします

次世代メモリーやパワーデバイスに用いられる超格子薄膜では、原子スケールの層間・層内原子分布が物性を決定しています。当社では、Cs補正STEM観察と大面積100mm2シリコンドリフト検出器を組み合わせることにより、高速・高感度で原子レベルの元素分布が評価可能であり、原子構造解析に重要な分析データをご提供できます。

次世代メモリーの原子分解能EDXマッピング

次世代メモリーのHAADF像とSb、TeのEDXマッピング結果を示します。EDXマッピング結果からSbとTeの配置を原子レベルで確認することができます。

STEM HAADF像
STEM HAADF像
Sb
アンチモン
Te
テルル500pm

マッピング条件

  • 装置表示倍率:×80M
  • 画面サイズ: 128×128pixel
  • 分析時間:35min

Sb + Te(アンチモン+テルル)
アンチモン+テルル
次世代メモリーのSTEM-EDXマッピング

三テルル化二アンチモンの原子モデル
Sb2Te3の原子モデル

Cs補正STEM装置と特徴

装置 日本電子製JEM-ARM200F

  • 日本電子製CENTURIO検出器
  • Gatan社製Model 965 Quantum ER

特徴

  • 加速電圧200kV , 80kV , 60kVで原子分解能観察が可能
    • STEM HAADF像分解能0.08nm (200kV)
  • STEM ABF像による軽元素原子カラムの直接観察が可能
  • 最新鋭の分析機能
    • 大面積100mm2SDD検出器による高速、高感度分析 (検出立体角0.8Sr)
    • DualEELSにより、2つのエネルギー領域の同時分析が可能 EELSエネルギー分解能0.3~0.5eV

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