原子を可視化する収差補正型走査透過電子顕微鏡(Cs補正STEM)

Cs補正STEMを用いるとナノスケールの微細構造解析が可能です

LSIや発光素子などの電子部品や電池など、ナノレベルの微細構造設計が要求されている分野で、従来TEM(透過電子顕微鏡)に比べ1桁小さい、0.1nmの極微小部分を観察できるCs補正STEMが威力を発揮します。

原子・分子レベルの観察・分析を可能にするCs補正STEMにより、皆様の材料開発やトラブルシューティングに新しい視点を提供いたします。

図 DLC皮膜のTEM-EELS測定例。 EELSスペクトル
図1 材料に合わせた電子顕微鏡の選択

Cs補正STEMの特徴

装置:日本電子製 ARM-200F

  • 60kVから原子像取得が可能(max 200kV)
    STEM分解能:0.08nm(従来STEM:0.2nm)
    HAADF-ABF検出器によるSTEM像
  • ダメージを抑えた観察が可能
    60kVの低加速電圧観察
    クライオステージを用いた観察
  • 最新鋭の分析機能
    冷陰極電子銃によるエネルギー分解能<0.4eVを実現
    Dual-EELSと大口径(100mm2)SDDによる高速化
  • 豊富なオプション機能と周辺設備
    大気非暴露、3次元トモグラフィ
    クライオFIB-SEM、グローブボックス、
    Arイオンミリング

60kVおよび200kVで撮影したSi単結晶{110}面のSTEM像
(写真中の白点:Si原子、右上の図は構造モデル)

適応可能な分野

電子材料:

  • 超格子薄膜・多層薄膜の積層構造解析。
  • LSI、LEDなど電子部品の微細構造の解析。
  • 磁気ヘッドの観察。量子ドット・量子細線の観察。

金属・セラミック材料:

  • 表面改質層・酸化層の観察。
  • 微細析出物、粒界偏析の解析。

電池材料:

  • リチウムイオン二次電池の正極材料・負極材料の観察。
  • 燃料電池用触媒の観察。

表面処理:

  • 表面処理皮膜・界面構造、接合層の解析。

超微粒子:

  • 形状観察、触媒微粒子の観察。

炭素材料(CNT、ナノカーボン、CLC、グラフェン、フラーレン、CNH)

適用事例

作業の流れ

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JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部