Cs補正STEMを用いたカーボンナノチューブ（CNT）の
ダメージフリー観察

Cs補正STEM（収差補正型走査透過電子顕微鏡）の分析事例1

⾼加速電圧の電⼦照射によりダメージを受ける炭素材料（カーボンナノチューブやグラフェンなど）や化合物半導 体でも、低加速電圧（60kV）で観察することにより、正確な形状観察や形状分析が可能になります。
⾼加速電圧観察（200kV）ではダメージを受けて形状が不明確なシングルウォールCNT（SW-CNT）も、低加速 電圧観察（60kV）によりCNT1本単位の形状を評価できます。
EELS（電⼦エネルギー損失分光法）分析でも、⾼加速電圧では、Cの損失ピーク（K→π2、K→σ）がダメージを 受けて、アモルファスカーボンのようなブロードなものになるのに対し、低加速電圧の測定でシャープなピークが 検出され、正確な状態分析が可能となります。