Cs補正STEMを用いたカーボンナノチューブ(CNT)のダメージフリー観察

Cs補正STEM(収差補正型走査透過電子顕微鏡)の分析事例1

高加速電圧の電子照射によりダメージを受ける炭素材料(カーボンナノチューブやグラフェンなど)や化合物半導体でも、低加速電圧(60kV)で観察することにより、正確な形状観察や形状分析が可能になります。
高加速電圧観察(200kV)ではダメージを受けて形状が不明確なシングルウォールCNT(SW-CNT)も、低加速電圧観察(60kV)によりCNT1本単位の形状を評価できます。
EELS(電子エネルギー損失分光法)分析でも、高加速電圧では、Cの損失ピーク(K→π2、K→σ)がダメージを受けて、アモルファスカーボンのようなブロードなものになるのに対し、低加速電圧の測定でシャープなピークが検出され、正確な状態分析が可能となります。

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