ULV-SEMを用いたCr(35nm/W(12nm))多層薄膜の分析

分析事例

10nmレベルの微細構造をULV-SEM（極低加速電圧走査電子顕微鏡）で観察でき、世界最高水準の分析技術で従来レベルをはるかに超える25nmのEDX分析が可能になりました。

ULV-SEMの反射電子（BSE）像により、酸化Ta薄膜上のCr（35nm）/W(12nm)の金属多層膜の形態が観察できるともに、従来の条件（加速電圧：10kV）では分離できなかった12nmのW層を、2.7kVと低加速電圧にすることで分析できます。