物理分析

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電子材料・半導体の構造解析

  • パワーデバイス、メモリ・太陽電池、MEMS(Micro Electro Mechanical System)、LED・有機EL、有機エレクトロニクスなど、電子材料・半導体材料・電子部品の機能(※1)は、ウエハ・エピタキシャル層(エピ層)などの原料と、各種薄膜プロセス(※2)との組み合わせで現われます。

    さらにこれらを組み合わせて実装部品・モジュール化します。これらデバイスの材料設計、故障解析のために必要な構造解析技術を提供します。

    • 機能:
      電気・電子特性、ダイオード特性、スィッチング特性、電気伝導性、絶縁性、誘電性、圧電性、光学特性(発光・ルミネッセンス、吸収)などを指します。
    • 薄膜プロセス:
      エッチング、蒸着、熱処理、イオン注入、拡散などの製造プロセスを指します。
  • LEDのGaN系超格子構造
    LEDのGaN系超格子構造

ウエハ・エピタキシャル層(平均組成・不純物、応力、欠陥)

ウエハ・エピタキシャル層の、平均組成分析、局所欠陥観察、応力評価などを対応いたします。

デバイス微細構造(薄膜・めっき、エッチング、拡散、イオン注入、熱酸化)

薄膜形成、エッチング、拡散、イオン注入などによる、各種皮膜・界面の観察、元素分布(面内・深さ方向)、化学状態変化を調べます。

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0120-643-777

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