物理分析
電子材料・半導体の構造解析
-
パワーデバイス、メモリ・太陽電池、MEMS(Micro Electro Mechanical System)、LED・有機EL、有機エレクトロニクスなど、電子材料・半導体材料・電子部品の機能(※1)は、ウエハ・エピタキシャル層(エピ層)などの原料と、各種薄膜プロセス(※2)との組み合わせで現われます。
さらにこれらを組み合わせて実装部品・モジュール化します。これらデバイスの材料設計、故障解析のために必要な構造解析技術を提供します。
- 機能:
電気・電子特性、ダイオード特性、スィッチング特性、電気伝導性、絶縁性、誘電性、圧電性、光学特性(発光・ルミネッセンス、吸収)などを指します。 - 薄膜プロセス:
エッチング、蒸着、熱処理、イオン注入、拡散などの製造プロセスを指します。
- 機能:
ページ内メニュー
ウエハ・エピタキシャル層(平均組成・不純物、応力、欠陥)
ウエハ・エピタキシャル層の、平均組成分析、局所欠陥観察、応力評価などを対応いたします。
デバイス微細構造(薄膜・めっき、エッチング、拡散、イオン注入、熱酸化)
薄膜形成、エッチング、拡散、イオン注入などによる、各種皮膜・界面の観察、元素分布(面内・深さ方向)、化学状態変化を調べます。
作業の流れ
関連ページ・関連リンク
- 電子部品、電子デバイスの解析・調査
- 太陽電池評価
- EBSD法によるシリコン(Si)ウエハ加工ダメージ評価 [事例集PDF]
- ワイドギャップ半導体のULV-SEM観察 [事例集PDF]
- 微細デバイスの断面TEM解析 [事例集PDF]
このページに関する
お問い合わせはこちらから
- JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部
- 0120-643-777