解析・評価可能な対応例

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多結晶Si「多結晶シリコン」用極微量分析

最新鋭の分析技術と豊富な経験により、多種多様な材料・製品中の極微量成分の評価を支援します。

オンリーワン・ナンバーワン技術

  • 二重収束型ICP-MSや、クールプラズマ法とコリージョン技術を実用化した高感度型ICP-MSにより、高感度多元素同時分析を実現。
    適用例:太陽電池用シリコンやウェハー表面汚染等の極微量分析
  • タイムインジェクション試料導入法を採用し高塩濃度溶液の測定技術を確立。
    適用例:高純度金属やニッケル基耐熱合金等の微量不純物分析
  • レーザーアブレーション技術(LA)の開発とICP-MSとの連結によりユニークな固体直接分析技術を実用化。
    適用例:原材料の迅速高感度分析、製品の局所・表面定量分析

太陽電池用シリコン分析

  • 太陽電池用シリコンの高感度分析を短納期で実施
  • 二重収束型ICP-MS
    二重収束型ICP-MS
  • 分析方法と定量下限値

    測定成分 分析方法 定量下限
    C 燃焼-赤外線吸収法 5ppm
    O 融解-赤外線吸収法 5ppm
    N 融解-熱伝導度法 5ppm
    P ICP質量分析法 10ppb※
    B ICP質量分析法 10ppb※
    Al,Fe,Ti 他 ICP質量分析法 0.2ppb
    61元素定性 ICP質量分析法 0.2ppb

    ※10ppb未満の場合は別途ご相談ください。

LA-ICP-MSによる高感度分析

  • レーザ光を同一試料面に高速繰返し照射することにより、0.1ppbオーダー~の高感度分析を実現

  • 高純度アルミニウム標準物質のICP-MSスペクトル
    高純度アルミニウム標準物質のICP-MSスペクトル

LA-ICP-MSによる局所・深さ方向分析

  • 短波長レーザを制御照射することにより、実装基板等の指定部位を分析

  • プリント基板スル-ホ-ルはんだ部の分析
    プリント基板スル-ホ-ルはんだ部の分析

その他の解析・評価可能な対応例

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JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部
0120-643-777

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